INFLUENCE OF CARBON IMPLANTATION ON PHASE COMPOSITION OF SiO2:NC-Si/Si THIN FILMS ACCORDING X-RAY ABSORPTION NEAR AGE STRUCTURE
Abstract
Методом спектроскопии ближней тонкой структуры рентгеновс кого поглощения (XANES) исс ледовано влияние ионной имплантации углерода в пленки SiOx/Si на их фазовы й состав. Обнаружена щественная перестройка тонкой структуры XANES после имплантации углерода, зависящая от ориентации подложки. Также проявляется тонкая структура, св язанная с образованием карбида кремния.
Downloads
Download data is not yet available.
References
1. Yi L. X., Heitmann J., Scholz R., et al. // Appl. Phys. Lett. 2002. V. 81. № 22. P. 4248—4250.
2. Белов А. И., Михайлов А. Н., Тетельбаум Д. И. // Физика и техника полупроводников. 2010. T. 44. Вып. 11. С. 1498—1503.
3. Kasrai M., Lennard W. N., Tan K. H. // Appl. Surf. Science. 1996. V. 99. P. 303—312.
4. Терехов В. А., Турищев С. Ю., Панков К. Н. // Поверхность. Рентгеновс кие, синхронные и нейтронные исс ледования. 2011. № 10. С. 46—55 .
5. Terekhov V. A., Turishchev S. Yu., Pankov K. N. // Surf. In terface An al. 2010. V. 42. P. 891—896/
6. Хоперский А. Н., Явна В. А. Аномальное упругое расс еяние рентгеновс кого фотона атомом. СКНЦ ВШ. Ростов- на-Дону, 2002. 168 c.
7. Terekhov V. A., Turishchev S. Yu., Kashkarov V. M. // Physica E: Low-dimens ional Systems and Nanostructures. 2007. Vol. 38. № 1—2. P. 16—20.
8. Терехов В. А., Тетельбаум Д. И., Занин И. Е. // Известия выс ших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2012. № 4. С 54—59.
2. Белов А. И., Михайлов А. Н., Тетельбаум Д. И. // Физика и техника полупроводников. 2010. T. 44. Вып. 11. С. 1498—1503.
3. Kasrai M., Lennard W. N., Tan K. H. // Appl. Surf. Science. 1996. V. 99. P. 303—312.
4. Терехов В. А., Турищев С. Ю., Панков К. Н. // Поверхность. Рентгеновс кие, синхронные и нейтронные исс ледования. 2011. № 10. С. 46—55 .
5. Terekhov V. A., Turishchev S. Yu., Pankov K. N. // Surf. In terface An al. 2010. V. 42. P. 891—896/
6. Хоперский А. Н., Явна В. А. Аномальное упругое расс еяние рентгеновс кого фотона атомом. СКНЦ ВШ. Ростов- на-Дону, 2002. 168 c.
7. Terekhov V. A., Turishchev S. Yu., Kashkarov V. M. // Physica E: Low-dimens ional Systems and Nanostructures. 2007. Vol. 38. № 1—2. P. 16—20.
8. Терехов В. А., Тетельбаум Д. И., Занин И. Е. // Известия выс ших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2012. № 4. С 54—59.
Published
2013-03-17
How to Cite
Terekhov, V. A., Tetelbaum, D. I., Turishchev, S. Y., Spirin, D. E., Pankov, K. N., Nesterov, D. N., Mikhaylov, A. N., Belov, A. I., & Ershov, A. V. (2013). INFLUENCE OF CARBON IMPLANTATION ON PHASE COMPOSITION OF SiO2:NC-Si/Si THIN FILMS ACCORDING X-RAY ABSORPTION NEAR AGE STRUCTURE. Kondensirovannye Sredy I Mezhfaznye Granitsy = Condensed Matter and Interphases, 15(1), 48-53. Retrieved from https://journals.vsu.ru/kcmf/article/view/877
Issue
Section
Статьи
