ИССЛЕДОВАНИЯ АТОМНОГО И ЭЛЕКТРОННОГО СТРОЕНИЯ АМОРФНЫХ ПЛЁНОК a-SiOx:H, СИНТЕЗИРОВАННЫХ МЕТОДОМ ГАЗОСТРУЙНОГО ХИМИЧЕСКОГО ОСАЖДЕНИЯ С АКТИВАЦИЕЙ ЭЛЕКТРОННО-ПУЧКОВОЙ ПЛАЗМОЙ
Ключевые слова:
ультрамягкая рентгеновская эмиссионная спектроскопия, спектроскопия ближней тонкой структуры края рентгеновского поглощения, газоструйное химическое осаждение, активация электронно-пучковой плазмой, субоксид кремния, электронное строение, фазовый состав
Аннотация
Рентгеноспектральными методами исследовалось электронное строение и фазовый состав тонких пленок a-SiOx:H. Пленки синтезировались методом газоструйного химического осаждения с активацией электронно-пучковой плазмой. Показано, что поверхностные слои (5 нм) и более глубокие слои до 120 нм исследованных пленок представляют собой композит на основе аморфного кремния и оксидов кремния различной степени окисления. Показано, что содержание оксидов кремния растет с увеличением температуры подложки уже в процессе роста пленок. Присутствие субоксидов в пленках приводит к появлению заметной плотности свободных состояний ниже дна зоны проводимости в SiO2, но выше, чем в аморфном гидрогенезированном кремнии.
Скачивания
Данные скачивания пока не доступны.
Опубликован
2015-12-25
Как цитировать
Терехов, В. А., Паринова, Е. В., Спирин, Д. Е., Хмель, С. Я., Баранов, Е. А., Замчий, А. О., Сеньковский, Б. В., & Турищев, С. Ю. (2015). ИССЛЕДОВАНИЯ АТОМНОГО И ЭЛЕКТРОННОГО СТРОЕНИЯ АМОРФНЫХ ПЛЁНОК a-SiOx:H, СИНТЕЗИРОВАННЫХ МЕТОДОМ ГАЗОСТРУЙНОГО ХИМИЧЕСКОГО ОСАЖДЕНИЯ С АКТИВАЦИЕЙ ЭЛЕКТРОННО-ПУЧКОВОЙ ПЛАЗМОЙ. Конденсированные среды и межфазные границы, 17(4), 542-551. извлечено от https://journals.vsu.ru/kcmf/article/view/100
Выпуск
Раздел
Статьи
