ПОЛУЧЕНИЕ, ОПРЕДЕЛЕНИЕ СОСТАВА И ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СВОЙСТВ ТРОЙНЫХ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ (BixSb1-x)2Te3
Аннотация
В производственных и лабораторных условиях были получены низкотемператур-
ные термоэлектрические материалы, представляющие собой твердые растворы замещения
в металлической подрешетке (BixSb1-x)2Te3 р-типа. Материал p-типа представляет собой твердый
раствор теллуридов сурьмы и висмута на основе теллурида сурьмы. Обнаружено, что заме-
щение сурьмы висмутом в металлической подрешетке Sb2Te3 приводит к изменению параметра
а гексагональной элементарной ячейки, тогда как параметр с остается неизменным. Обнару-
жено различие атомных составов лабораторных и заводских образцов, определенных по зна-
чению параметра а в соответствии с законом Вегарда. Получены близкие значения доброт-
ности ~2,6∙10–3К–1 для материалов обоих типов. Таким образом, показана возможность выра-
щивания кристаллов в одном цикле в результате совмещения операций синтеза, сплавления
и зонной перекристаллизации без потери добротности.
Скачивания
Литература
2. Abrikosov N. H., Shalimova L. E. Semiconductor materials based on compounds AIVBVI. Moscow, Nauka Publ., 1975, 198 p.
3. Liakishev N. O. Bannykh O. A., Rokhlin L. L. Diagrams of binary metallic systems, vol. 1. Moscow, Engineering Publ., 1996, 992 p.
4. Ivanov L. D., Granatkin J. V., Sidorenko N. A. «Thermoelectrics and their application», Reports VII Interstate seminar, november, Saint Petersburg, 2000, pp. 6—11.
5. Gasenkova I. V., Svechnikova T. E. «Thermoelectrics and their application», Reports VIII Interstate seminar, november, Saint Petersburg, 2002, pp. 145—150.
6. Korzhuev M. A. «Thermoelectrics and their application », Reports VIII Interstate seminar, november, Saint Petersburg, 2002, pp. 139—144.
7. JCPDS — International Centre for Diffraction Data. 2001, vol. 22.
8. Jeon H. — W., H H. — Pa, Hyun D. — B, Shim J. — D. J. Phys. Chem., 1991, vol. 9, p. 1213.
9. Markov O. I. Avtoreferat of diss. dr. phys. and math. nauk. Kursk, 2012.
10. Kulbachinskii V. A., Kytin V. G., Tarasov P. M., Yuzeev N. A. Physics of Solid State, 2010, vol. 52, no. 9, p. 1707.
11. Kutasov V. A., Lukyanov L. N. Physics of Solid State, 2006, vol. 48, no. 12, p. 2164.
12. Cho S., Kim Y., Ketterson J. B. Appl. Phys. A, 2004, vol. 79, p. 1729.
13. Bourgault D., Giroud C., Caillautl N., Carbone L., Aymami J. A. Thin Solid Films, 2008, vol. 516, p. 8579.
14. Vegard L. Zeitschrift für Physik, 1921, z. 17.
15. Denton A. R. and Ashcroft N. W. Phys. Rev. A, 1991, vol. 43, p. 3164.
16. Patrushev T. N., Podorozhnyak S. A., Shelovanova G. N. J. of Siberian Federal Universyity Engineering and Technologies, 2013, vol. 6, p. 657.
17. Bogomolov D. I. Avtoreferat of diss. cand. tekh. nauk. Moscow, 2013, 23 p.
